FDD10N20LZTM
|
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | UniFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 585pF @ 25V |
| Power - Max | 56W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252, (D-Pak) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
