FDFMJ2P023Z


Купить FDFMJ2P023Z ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDFMJ2P023Z MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP
Версия для печати

Технические характеристики FDFMJ2P023Z

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureDiode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs112 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.9A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds400pF @ 10V
Power - Max700mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-MLP, 6-MicroFET™
Корпус6-MLP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FDFMJ2P023Z datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход