SSR1N60BTM_WS


Купить SSR1N60BTM_WS ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SSR1N60BTM_WS MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики SSR1N60BTM_WS

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 Ohm @ 450mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C900mA
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs7.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds215pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SSR1N60BTM_WS datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход