FDC642P_F085
|
Версия для печати
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 4A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 640pF @ 10V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
| Корпус | 6-SSOT |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
