FDFME2P823ZT
|
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 405pF @ 10V |
| Power - Max | 600mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-UMLP, 6-MicroFET™ |
| Корпус | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
