IPP110N20N3 G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 88A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 88A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7100pF @ 100V |
| Power - Max | 300W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
