SI7462DP-T1-E3
|
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK 8SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики SI7462DP-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Power - Max | 1.9W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
