SI4812BDY-T1-GE3
|
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики SI4812BDY-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | LITTLE FOOT® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
