SIB422EDK-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SIB422EDK-T1-GE3 (SILICONIX.)	784	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6

Версия для печати

Технические характеристики SIB422EDK-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 8V
Power - Max	13W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® SC-75-6L
Корпус	PowerPAK® SC-75-6L Single

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.