IXTY1R6N100D2
|
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 800mA, 0V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.6A |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 645pF @ 25V |
| Power - Max | 100W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252, (D-Pak) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
