STP62NS04Z


N-channel clamped 12.5m? - 62a - to-220 fully protected mesh overlay™ power mosfet

Купить STP62NS04Z по цене 38.04 руб.  (без НДС 20%)
STP62NS04Z
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
STP62NS04Z (ST MICROELECTRONICS) 167 38.04 
STP62NS04Z (4-7 НЕДЕЛЬ) 135 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STP62NS04Z

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMESH OVERLAY™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)33V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C62A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs47nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1330pF @ 25V
Power - Max110W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP62NS04Z (MOSFET)

N-channel clamped 12.5m? - 62A - TO-220 Fully protected MESH OVERLAY™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP62NS04Z datasheet
278.5 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
0805-NP0-470PF 5% 50V Керамический конденсатор чип 470пФ, 50 В, 5%, NP0   MURATA Заказ радиодеталей цена радиодетали
0805-NP0-470PF 5% 50V Керамический конденсатор чип 470пФ, 50 В, 5%, NP0     Заказ радиодеталей 1.28 
  0805-X7R-0.015UF 10% 50V Керамический конденсатор чип поверхностный монтаж 0.015мкФ, 50В, 10%   MURATA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  0805-X7R-0.015UF 10% 50V Керамический конденсатор чип поверхностный монтаж 0.015мкФ, 50В, 10%     Заказ радиодеталей 1.28 
    ??????CHEMETSN63PB37FLUX081:1%0.5??250?     CHEMET Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   DC COMPONENTS 20 300 1.98 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   NXP 8 2.10 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   CHIN Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   DIOTEC 2 404 1.82 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   NXP 3 046 цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   PHILIPS 2 130 цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   PHILIPS SEMIC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   INFINEON TECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   DIODES INC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   KINGTRON Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)     110 357 1.36 
>100 шт.   0.68 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   GALAXY ME 646 1.09 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   HOTTECH 137 450 1.38 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   LRC 1 920 2.07 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   KOME 10 1.61 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   SUNTAN 145 052 1.48 
>100 шт.   0.74 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   SEMTECH 36 637 2.81 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   YJ 358 633 1.20 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   RUME Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   TRR ELECTRONICS 392 1.23 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   NEXPERIA 38 436 1.28 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO 16 1.94 
>100 шт.   0.97 
BC857C Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)   XXW 50 184 1.44 
>100 шт.   0.72 
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый     4 340.00 
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход