IRFH6200TR2PBF
|
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 50A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 45A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 230nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 10890pF @ 10V |
| Power - Max | 3.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerVQFN |
| Корпус | PQFN (5x6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
