IRFHM830DTR2PBF
|
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1797pF @ 25V |
| Power - Max | 2.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-VQFN Exposed Pad |
| Корпус | PQFN (3x3) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0603 X7R 100NF 16V 10% |
|
Конденсатор керамический многослойный 100нФ, 16В | AUX |
|
|
||
|
|
0603 X7R 100NF 16V 10% |
|
Конденсатор керамический многослойный 100нФ, 16В |
|
|
|||
| 1206 1NF 63V |
|
|
||||||
| 1206 1NF 63V | LC.C |
|
|
|||||
| ATTINY261A-SU | ATMEL |
|
|
|||||
| ATTINY261A-SU |
|
226.72 | ||||||
| ATTINY261A-SU | MICRO CHIP | 553 | 292.87 | |||||
| ATTINY261A-SU | 4-7 НЕДЕЛЬ | 792 |
|
|||||
| BAT760 | NXP |
|
|
|||||
| BAT760 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BAT760 | NXP |
|
|
|||||
| BAT760 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BAT760 |
|
|
||||||
| BAT760 | SLKOR | 11 544 | 2.36 | |||||
| RES 0402 1K 5% | YAGEO |
|
|
