HTNFET-D
|
MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP
|
Версия для печати
Технические характеристики HTNFET-D
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HTMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 290pF @ 28V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 8-DIP |
| Корпус | 8-DIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
