ZVN3310A
N-channel enhancement mode vertical dmos fet
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 40pF @ 25V |
| Power - Max | 625mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
ZVN3310A (MOSFET) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2П 303 Е |
|
Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ... | RUS |
|
|
||
 |
 |
ZVP3310A |
|
P-channel enhancement mode vertical dmos fet | ZETEX |
|
|
|
|
|
|
ZVP3310A |
|
P-channel enhancement mode vertical dmos fet |
|
326.40 | ||
|
|
|
ZVP3310A |
|
P-channel enhancement mode vertical dmos fet | ZETEX |
|
|
|
|
|
|
ZVP3310A |
|
P-channel enhancement mode vertical dmos fet | Diodes/Zetex |
|
|
|
|
|
|
ZVP3310A |
|
P-channel enhancement mode vertical dmos fet | DIODES |
|
|
|
 |
КП903А |
|
131.20 | |||||
|
|
КП903А | ПУЛЬСАР |
|
|
