SI4632DY-T1-E3


Купить SI4632DY-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI4632DY-T1-E3 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SI4632DY-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияWFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C40A
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs161nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds11175pF @ 15V
Power - Max7.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI4632DY-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход