IRF7665S2TR1PBF


Купить IRF7665S2TR1PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF7665S2TR1PBF MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
Версия для печати

Технические характеристики IRF7665S2TR1PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs62 mOhm @ 8.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds515pF @ 25V
Power - Max2.4W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DirectFET™ Isometric SB
КорпусDIRECTFET SB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRF7665S2TR1PBF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход