IPB025N10N3 G
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 180A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 275µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 206nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 14800pF @ 50V |
| Power - Max | 300W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-7, D²Pak (6 leads + Tab), TO-263CB |
| Корпус | PG-TO263-7 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
