FDMS5672

Версия для печати

Технические характеристики FDMS5672

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	UltraFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5 mOhm @ 10.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2800pF @ 30V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-MLP, Power56
Корпус	Power56

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDMS5672 (MOSFET)

N-Channel UltraFET Trench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDMS5672 datasheet
542.4 Кб