EPC1012
|
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| RoHS Information | Lead Free/RoHS Statement |
| Серия | eGaN™ |
| FET Type | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 5A, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.9nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 110pF @ 100V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 4-LGA |
| Корпус | 4-LGA (1.7x0.9) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
