IPB015N04N G
|
Версия для печати
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 100A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 20000pF @ 20V |
| Power - Max | 250W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | PG-TO263-2 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
