RP1E100RPTR
|
MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 39nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3600pF @ 10V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | MPT6 |
| Корпус | MPT6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
