SPB12N50C3

Версия для печати

Технические характеристики SPB12N50C3

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	560V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 500µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	49nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	PG-TO263-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.