IPP114N03L G


Купить IPP114N03L G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPP114N03L G
Версия для печати

Технические характеристики IPP114N03L G

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.4 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1500pF @ 15V
Power - Max38W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусPG-TO220-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход