SUD09P10-195-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SUD09P10-195-GE3 (VISHAY)	783	51.62

MOSFET P-CH 100V DPAK

Версия для печати

Технические характеристики SUD09P10-195-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195 mOhm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1055pF @ 50V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	TO-252, (D-Pak)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.