2SK536-TB-E
|
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 10mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 15pF @ 10V |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 3-CP |
| Корпус | 3-CP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
