IPD70N10S3-12


Купить IPD70N10S3-12 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPD70N10S3-12 MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Версия для печати

Технические характеристики IPD70N10S3-12

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1 mOhm @ 70A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C70A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4355pF @ 25V
Power - Max125W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусPG-TO252-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IPD70N10S3-12 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход