AON6482
|
MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 28A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2000pF @ 50V |
| Power - Max | 75W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-VDFN Exposed Pad |
| Корпус | 8-DFN-EP (5x6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
