BSZ035N03LSG


BSZ035N03LSG (заказ)
BSZ035N03LSG

Технические характеристики BSZ035N03LSG

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C40A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4400pF @ 15V
Power - Max69W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PowerTDFN
КорпусPG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru