AO4441
|
MOSFET P-CH 60V 4A 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1120pF @ 30V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPS54160DGQ | TEXAS INSTRUMENTS | 321 | 148.23 | |||||
| TPS54160DGQ |
|
|
||||||
| TPS54160DGQ | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||||
| TPS54160DGQ | TEXAS |
|
|
|||||
| TPS54160DGQ | TEXAS INSTRUMENTS | 5 |
|
|||||
| TPS54160DGQ | TEXASINSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS54160DGQ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 761 |
|
