NTZS3151PT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTZS3151PT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	960	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTZS3151PT1G

Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 950mA, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	860mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	458pF @ 16V
Power - Max	170mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-563
Корпус	SOT-563

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.