APT66M60B2
|
MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 33A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 70A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 13190pF @ 25V |
| Power - Max | 1135W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | T-MAX |
| Корпус | T-MAX™ [B2] |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
