APT7F120B
|
MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 Ohm @ 3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2565pF @ 25V |
| Power - Max | 335W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247 |
| Корпус | TO-247 [B] |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 470МКФ 400В 26X50 («NCC» EKMR401VSN471MQ50S) | 232 |
|
||||||
 |
 |
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER | 11 | 580.80 | |
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц |
|
1 024.64 | ||
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | США |
|
|
|
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|
|
|
|
IRGPS40B120UDP |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | INFINEON |
|
|
|
| С5-5В-8 47 ОМ 1% |
|
|
