Версия для печати
Технические характеристики STW12NK90Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	880 mOhm @ 5.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	152nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3500pF @ 25V
Power - Max	230W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

STW12NK90Z (MOSFET) N-channel 900V - 0.72? - 11A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STW12NK90Z datasheet 271.1 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CA035M0100REF-0810		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В	YAGEO
		CA035M0100REF-0810		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В		1	24.39
		CA035M0100REF-0810		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		L78L08ABZ		Стабилизатор напряжения +8V 0,1A	ST MICROELECTRONICS	532	21.08
		L78L08ABZ		Стабилизатор напряжения +8V 0,1A			25.00
		L78L08ABZ		Стабилизатор напряжения +8V 0,1A	ST MICROELECTRONICS SEMI
		L78L08ABZ		Стабилизатор напряжения +8V 0,1A	STMICROELECTRONICS
		L78L08ABZ		Стабилизатор напряжения +8V 0,1A	ST MICROELECTR
		L78L08ABZ		Стабилизатор напряжения +8V 0,1A	4-7 НЕДЕЛЬ	184
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FAIR
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS		1	55.80
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FAIRCHILD
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FAIRCHILD
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	Fairchild Optoelectronics Group
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	STMicroelectronics
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	КИТАЙ
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTRUMENTS
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FSC
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FSC1
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ONS-FAIR
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ONS
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	4-7 НЕДЕЛЬ	759
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	CHINA
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MUR	7 402	18.19
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812			24.60
		LQH43MN101K03L		SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
		КСО-2Г-500В-2200 ПФ 10%

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"