STF11NM60N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STF11NM60N (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	27	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STF11NM60N

Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	MDmesh™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	850pF @ 50V
Power - Max	25W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220FP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.