STP11NM60

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP11NM60		272.64

Версия для печати

Технические характеристики STP11NM60

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	MDmesh™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1000pF @ 25V
Power - Max	160W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STD11NM60N (MOSFET драйверы)

N-channel 600V - 0.37 Ohm - 10A - TO-220 - TO-220FP- IPAK - DPAK Second generation MDmeshTM Power MOSFET

Также в этом файле: STP11NM60N

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STP11NM60 datasheet
431.64Kb
17стр.