STB15NM60ND
N-channel 600 v - 0.27 ? - 14 a - fdmesh™ ii power mosfet d2pak, i2pak
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | FDmesh™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1250pF @ 50V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STB15NM60ND (MOSFET) N-channel 650V - 0.25? - 15.5A - D2PAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET
Производитель:
|
