IRF7779L2TR1PBF


Купить IRF7779L2TR1PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF7779L2TR1PBF MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Версия для печати

Технические характеристики IRF7779L2TR1PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs11 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C375A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds6660pF @ 25V
Power - Max3.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DirectFET™ Isometric L8
КорпусDIRECTFET L8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRF7779L2TR1PBF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход