IRF6718L2TR1PBF
|
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.7 mOhm @ 61A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 61A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 96nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6500pF @ 13V |
| Power - Max | 4.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric L6 |
| Корпус | DIRECTFET L6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
