IRF6798MTR1PBF


Купить IRF6798MTR1PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF6798MTR1PBF MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
Версия для печати

Технические характеристики IRF6798MTR1PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Schottky, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3 mOhm @ 37A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C37A
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs75nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds6560pF @ 13V
Power - Max2.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DirectFET™ Isometric MX
КорпусDIRECTFET™ MX
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRF6798MTR1PBF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход