IXTP1R4N60P


Купить IXTP1R4N60P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTP1R4N60P MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220 MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
Версия для печати

Технические характеристики IXTP1R4N60P

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPolarHV™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.4A
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs5.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds140pF @ 25V
Power - Max50W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXTP1R4N60P datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход