IRFH3702TR2PBF


Купить IRFH3702TR2PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFH3702TR2PBF MOSFET N-CH 30V 16A PQFN33 MOSFET N-CH 30V 16A PQFN33
Версия для печати

Технические характеристики IRFH3702TR2PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.1 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C16A
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1510pF @ 15V
Power - Max2.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PQFN, 8-PowerQFN
КорпусPQFN (3x3) Single Die
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRFH3702TR2PBF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход