CPC5603CTR
|
MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 50mA, 350mV |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 415V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 300pF @ 0V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
B10S |
|
Диодный мост 0,5А 1000В DB-1MS | DC COMPONENTS | 82 186 | 4.28 | |
|
|
|
B10S |
|
Диодный мост 0,5А 1000В DB-1MS | CHINA |
|
|
|
|
|
|
B10S |
|
Диодный мост 0,5А 1000В DB-1MS |
|
10.00 | ||
|
|
|
B10S |
|
Диодный мост 0,5А 1000В DB-1MS | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
B10S |
|
Диодный мост 0,5А 1000В DB-1MS | SPEKTEK |
|
|
|
|
|
|
B10S |
|
Диодный мост 0,5А 1000В DB-1MS | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
B10S |
|
Диодный мост 0,5А 1000В DB-1MS | YJ |
|
|
|
| CPC3701CTR | IXYS |
|
|
|||||
| CPC3701CTR |
|
|
||||||
 |
|
CPC3703CTR |
|
Clare |
|
|
||
|
|
|
CPC3703CTR |
|
IXYS |
|
|
||
|
|
|
CPC3703CTR |
|
|
|
|||
| DN3535N8-G | SUPERTEX |
|
|
|||||
| MB6S-E3/80 | VISHAY |
|
|
|||||
| MB6S-E3/80 | VISHAY |
|
|
|||||
| MB6S-E3/80 |
|
65.20 |
