IRLML2502GTRPBF
|
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 15V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
