IRFP23N50LPBF
Hexfet® power mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235 mOhm @ 14A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 23A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| Power - Max | 370W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFP23N50LPBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FA5502M | FUJ |
|
|
|||||
| FA5502M | 1 | 396.90 | ||||||
| FA5502M | 1 | 396.90 | ||||||
| FA5502M | 1 |
|
|
|||||
| FA5502M | 4-7 НЕДЕЛЬ | 316 |
|
|||||
 |
M51995AFP |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET | MITSUBISHI |
|
|
||
|
|
M51995AFP |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET |
|
640.00 | |||
|
|
M51995AFP |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET | MIT |
|
|
||
|
|
M51995AFP |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
M51995AFP |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET | 4-7 НЕДЕЛЬ | 251 |
|
