|
Транзистор полевой SMD |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 900mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
|
IRLL110 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 10 КОМ 5% | FENGHUA | 4 000 |
0.75 >1000 шт. 0.15 |
|||||
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C) |
|
64.36 | ||
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C) | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C) | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C) | VISHAY/IR |
|
|
|
| Е193Б |
|
149.76 |