IRF830ASPBF


Купить IRF830ASPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF830ASPBF MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики IRF830ASPBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds620pF @ 25V
Power - Max3.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRF830ASPBF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход