IRF610PBF

Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200V, 3.3A, 36W, 1.5R)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF610PBF (VISHAY)	1 192	56.19

Версия для печати

Технические характеристики IRF610PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	140pF @ 25V
Power - Max	36W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF610PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF610PBF datasheet
2.1 Мб

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	VISHAY
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ST MICROELECTRONICS
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	Vishay/Siliconix
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	STMicroelectronics
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICROSEMI CORP
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)			66.84
IRF640	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MINOS	1 784	23.93
IRF9510	Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	86.94
IRF9510	Транзистор полевой	RECTIFIER
IRF9510	Транзистор полевой	VISHAY
IRF9510	Транзистор полевой		3	113.40
IRF9510	Транзистор полевой	Vishay/Siliconix
IRF9510	Транзистор полевой	1
TL074CDT	4xOP JFET +-18V LN 13V/us	ST MICROELECTRONICS	7 845	19.75
TL074CDT	4xOP JFET +-18V LN 13V/us	SGS
TL074CDT	4xOP JFET +-18V LN 13V/us	TEXAS INSTRUMENTS
TL074CDT	4xOP JFET +-18V LN 13V/us		1 600	14.62
TL074CDT	4xOP JFET +-18V LN 13V/us	SGS THOMSON
TL074CDT	4xOP JFET +-18V LN 13V/us	ST MICROELECTRONICS SEMI	64
TL074CDT	4xOP JFET +-18V LN 13V/us	STMicroelectronics
TL074CDT	4xOP JFET +-18V LN 13V/us	МАРОККО
TL074CDT	4xOP JFET +-18V LN 13V/us	4-7 НЕДЕЛЬ	550
ПЛК-7
ПЛК-7
ПЛК-7		1
ПЛК-9Д-55
ПЛК-9Д-55

IRF610PBF

Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200V, 3.3A, 36W, 1.5R)

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: