SI7138DP-T1-E3


Купить SI7138DP-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI7138DP-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 30A PPAK 8SOIC MOSFET N-CH 60V 30A PPAK 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SI7138DP-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияWFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8 mOhm @ 19.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs135nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds6900pF @ 30V
Power - Max96W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SO-8
КорпусPowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI7138DP-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход