BUK9Y11-30B,115


Купить BUK9Y11-30B,115 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BUK9Y11-30B,115 MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK
Версия для печати

Технические характеристики BUK9Y11-30B,115

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C59A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1614pF @ 25V
Power - Max75W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-100, SOT-669
КорпусLFPAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


BUK9Y11-30B,115 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход